彩色PDP用MgO薄膜抗溅射性能研究

一、彩色PDP用MgO膜的抗溅射性能研究（论文文献综述）

王秀锋^[1]（2014）在《MgO纳米带的制备与特性研究》文中提出MgO纳米带做为一维纳米材料，由于其特有的小尺寸效应、隧道效应、介电效应等特性，使其在电学、光学、磁学、化学等方面有着不同于块体材料的性能，MgO纳米材料在杀菌剂、耐火材料、电化学生物传感器等应用领域潜力巨大。首先，本文应用直流电弧等离子体喷射CVD（DCArc Plasma Jet CVD），通过控制反应时间，成功制备了一组形态结构不同的MgO一维纳米材料，通过SEM、TEM、XRD等表征手段观察分析了各反应时间的形貌、成分、结构等特征，分析了本实验所制备MgO纳米带的生长机理。结果表明，纳米带的整个生长过程是气液固“VLS”和液固“LS”生长模式共同作用的结果。本实验所制备的MgO纳米带相对于已报道的其他MgO纳米带有着生长时间短、所需成本低、能耗污染小等优点。然后，本文通过傅里叶红外吸收光谱（FTIR）、光致发光光谱（PL）、紫外-可见光分吸收光谱（UV-vis）等光学分析手段研究了MgO纳米带的光学特性，用热重分析仪分析了他的热重特性。通过图谱分析发现，本实验所制备的MgO纳米带存在着大量的缺陷，正是由于这些缺陷、以及纳米带本身所特有的比表面积大的特点，使得MgO纳米带的表面存在大量的低配位氧离子（OLC2-）存在，包括（O2-2-2-5C、O4C、O3C），而正是由于这些低配位氧离子的存在，使得本实验所制备的MgO纳米带拥有优于其他材料的电催化性能，使其在电化学传感器领域有着广阔的应用前景。最后，本文利用电化学工作站研究了MgO纳米带对对苯（HQ）和邻苯（CC）的电化学性能。首先通过比较裸玻碳电极（GCE）和修饰氧化镁纳米带的玻碳电极（MgO/CS/GCE）对于HQ和CC的循环伏安（CV）检测后发现，MgO/CS/GCE电催化性能要明显优于GCE裸电极；然后通过分析MgO/CS/GCE对HQ和CC的单独DPV检测后发现，与其他纳米材料相比，MgO纳米带对于HQ和CC的检出限非常低，灵敏度非常高；之后研究了MgO/CS/GCE对于HQ和CC的同时DPV检测，MgO纳米带对于这对同分异构体的选择性非常好，相对于其他材料同样表现出了优异的检出限以及灵敏度。

黄开玉^[2]（2005）在《中频孪生磁控溅射等离子体特性与氧化物薄膜沉积研究》文中进行了进一步梳理该文介绍了磁控溅射沉积技术的基本原理、发展及应用。简述了MgO、Al2O3薄膜的应用及其制备方法。介绍了实验中使用的非平衡中频孪生磁控溅射沉积系统的组成、性能。以镁靶为例,分析了出现金属态沉积的原因。分析认为,在大电流、散热不良的情况下,靶面温度升高会极大增高靶材的被溅蚀速率,从而呈现金属态沉积。该过程可能伴随有靶材的蒸发。分析了该系统制备的MgO薄膜的结构、厚度。结果表明:利用反应非平衡中频磁控溅射制备的MgO薄膜主要为（200）晶体取向。在一定范围内,薄膜的沉积速率随氧气含量、沉积功率、负偏压的提高而增加,气压对MgO沉积速率几乎没有影响。分析了掺铒Al2O3薄膜结构,测量其光致发光性能。制备的掺铒Al2O3薄膜未退火时为非晶结构,存在多层膜结构现象;退火后含有Er4Al2O9、Al10Er6O24晶体相结构。制备过程中,偏压、氧气含量、制备气压的增加都将导致退火后薄膜的光致发光峰值光强下降,沉积时加热会导致退火后光致发光的峰值光强急剧下降。而薄膜厚度的增加有利于退火后光致发光的峰值光强增加,但是对于一定的泵浦功率存在饱和厚度。

郑德修,喻志农^[3]（2001）在《彩色PDP用MgO膜的抗溅射性能研究》文中研究表明利用自行研制的实验装置深入研究了不同工艺条件下制备的MgO薄膜的抗溅射性能 ,为优化用于PDP的MgO膜的制备工艺提供了科学依据

郑德修,喻志农^[4]（2001）在《彩色PDP用MgO膜的抗溅射性能研究》文中研究说明本文利用自行研制的实验装置深入研究了不同工艺条件下制备的MgO薄膜的抗溅射性能,为优化用于PDP的MgO膜的制备工艺提供了科学依据。

二、彩色PDP用MgO膜的抗溅射性能研究（论文开题报告）

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、彩色PDP用MgO膜的抗溅射性能研究（论文提纲范文）

（1）MgO纳米带的制备与特性研究（论文提纲范文）

摘要

Abstract

第一章绪论

1.1 纳米科技应用及广阔前景

1.1.1 纳米科技在仿生领域的应用

1.1.2 纳米科技在信息化领域的应用

1.1.3 纳米科技在新能源

1.2 纳米材料简介

1.2.1 纳米材料特异效应

1.2.1.1 表面效应

1.2.1.2 小尺寸效应（或体积效应）

1.2.1.3 量子尺寸效应

1.2.1.4 宏观量子隧道效应

1.2.1.5 介电限域效应

1.2.2 纳米材料的物化特性

1.2.2.1 化学性能

1.2.2.2 光学性能

1.2.2.3 电磁性能

1.2.3 MgO 纳米带特性及应用

1.3 电化学传感器及检测方法

1.3.1 极谱法

1.3.2 伏安法

1.3.3 库仑滴定法

1.4 主要内容

第二章 MGO 纳米带的制备与生长机理

2.1 纳米材料的制备方法

2.1.1 物理法

2.1.2 化学法

2.2 直流电弧等离子体喷射 CVD 法制备 MgO 纳米带

2.2.3 设备简介

2.2.4 实验步骤

2.3 MgO 纳米带表征及生长机理分析

2.3.1 表征手段

2.3.2 MgO 纳米带的表征及分析

2.3.3 MgO 纳米带的生长机理

2.4 本章小结

第三章 MGO 纳米带的光学特性及热重分析

3.1 MgO 纳米结构的 FTIR 分析

3.2 MgO 纳米结构的 UV-vis 分析

3.3 MgO 纳米结构的 PL 谱分析

3.4 MgO 纳米带的 TG 分析

3.5 本章小结

第四章 MGO 纳米带的电化学性能

4.1 电化学传感器检测材料的固定工艺

4.1.1 常见的几种固定工艺

4.1.1.1 化学\物理吸附法

4.1.1.2 化学键合法

4.1.1.3 包埋法

4.1.1.4 层层自组装法

4.1.1.5 电化学聚合法

4.1.2 本文采用的固定工艺

4.2 MgO/CS/GCE 电极检测 HQ、CC

4.2.1 对苯二酚、邻苯二酚简介

4.2.2 pH 值对 MgO/CS/GCE 检测 HQ、CC 的影响

4.2.3 MgO/CS/GCE 对 HQ、CC 的单独检测

4.2.4 MgO/CS/GCE 对 HQ、CC 的同时检测

4.2.5 MgO/CS/GCE 同时检测 HQ、CC 时的重现性和抗干扰性

4.3 本章小结

第五章结论

参考文献

发表论文和科研情况说明

致谢

（2）中频孪生磁控溅射等离子体特性与氧化物薄膜沉积研究（论文提纲范文）

摘要

Abstract

1 绪论

1.1 选题意义

1.2 磁控溅射简介

1.2.1 溅射工作原理的简单回顾

1.2.2 磁控溅射沉积的特点

1.2.3 磁控溅射的应用

1.3 MgO、Al_2O_3薄膜沉积发展现状、应用

1.3.1 MgO、Al_2O_3薄膜的应用

1.3.2 MgO、Al_2O_3薄膜的制备方法

1.4 本文的研究内容

2 中频孪生磁控溅射系统及检测分析

2.1 中频孪生磁控溅射系统简介

2.2 实验工艺

2.3 膜厚检测设备

2.4 光致发光检测设备

3 薄膜制备过程中的现象、分析

3.1 Towsend放电曲线、辉光放电

3.2 制备Mg、MgO时的放电曲线

3.2.1 Mg、MgO的Ⅴ-Ⅰ曲线

3.2.2 曲线的分析

3.2.3 对出现此放电曲线的假设

3.3 结论

4 影响MgO薄膜沉积速率的因素

4.1 气体成份对靶的起辉气压的影响

4.2 MgO薄膜的XRD检测结果

4.3 MgO薄膜沉积速率与参数的关系

5 参数对掺铒Al_2O_3薄膜发光性能的影响

5.1 薄膜退火前后结构比较

5.2 制备结果中出现的多层膜结构

5.3 不同参数对发光性能的影响

6 结论