一、磁控溅射工艺控制模式比较（论文文献综述）
马春阳[1]（2021）在《基于磁控溅射法的二硫化钼薄膜的制备》文中进行了进一步梳理自石墨烯被发现以来,由于其独特的光学及热传导等性能,得到了广泛的研究。但由于其是天然的零带隙结构,因此,人们尝试探索新型的二维材料,氮化硼（BN）、黑磷（BP）、过渡金属硫化物（TMDCs）等相继进入人们视野。作为过渡金属硫属化合物中的代表,二维二硫化钼（Mo S2）具有层状结构,单层Mo S2为直接带隙,并在可见光波段具有良好的吸收,其独特的半导体特性使其具有广阔应用前景。本文以磁控溅射结合硫化法制备了二硫化钼薄膜,并对其光学性能进行了研究,主要研究内容及结果如下:（1）采用磁控溅射法与硫化工艺相结合制备二硫化钼薄膜。对其物相结构、形貌和光学性能等进行了表征和分析。结果表明:在本底真空优于5×10-5Pa,直流磁控溅射功率为10W,Ar气氛中进行溅射,工作气压为1Pa,衬底与靶材间距约为6 cm,溅射温度为400℃,溅射时间为400s,在600℃下硫化30分钟条件下制备的薄膜为均匀性良好的四层Mo S2。（2）研究了衬底与靶材间距对Mo S2薄膜结构和形貌的影响。通过调控距离,制备出二硫化钼薄膜。结果表明:随着衬底与靶材间距的增加,薄膜的吸收率逐渐降低,结晶度逐渐降低,晶粒尺寸逐渐减小。硫化后的Mo S2薄膜为2H-Mo S2结构。衬底与靶材间距为7.0cm时获得的薄膜晶粒分布较均匀,且均方粗糙度最低。（3）研究了衬底材质对所生长Mo S2薄膜的影响。在石英（Si O2）和P型硅（100）两种衬底上分别生长了二硫化钼薄膜,并对其物相结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明:在Si衬底上能够制备出晶粒尺寸大,层数更少的二硫化钼薄膜。（4）研究了溅射时间对Mo S2薄膜光学性能的影响。结果表明:随着溅射时间的缩短,薄膜的吸收率逐渐降低。溅射时间为250s时可获得质量较好的Mo S2薄膜。（5）研究了溅射温度对Mo S2薄膜形貌的影响。结果表明:随着溅射温度的升高,薄膜的晶化率先增大后减少。溅射温度为400℃时可获得质量较好的Mo S2薄膜。
杨梦熊[2]（2021）在《碳化硅元件自由基等离子体加工关键工艺研究》文中指出碳化硅（SiC）因众多优异的性能,成为一种常用的空间反射镜镜体材料。SiC反射镜制造,目前形成的主流加工流程是:铣磨成型→精磨→镀制改性层→超精密加工,其中镀制改性层主要是采用物理气相沉积（PVD）方法制备硅（Si）改性层,超精密加工则涉及数控小工具抛光、磁流变抛光、离子束抛光和气囊抛光等。本文针对Si改性层与SiC材料的失配问题,着重研究了 SiC改性层制备工艺问题,并探索将自由基微波等离子体（RPS）加工技术引入到SiC加工环节之中。首先对比研究了两种射频磁控溅射方法制备SiC改性层,之后研究了 RPS的刻蚀特性,最后,对比研究了 RPS刻蚀碳化硅元件和薄膜的刻蚀效果,为后续RPS加工工艺进行了探索研究。具体研究结果如下:磁控溅射制备SiC改性层工艺探索:分别采用基于SiC靶直接溅射和硅靶与甲烷反应溅射制备SiC薄膜;实验发现:硅靶、甲烷反应溅射工艺,沉积速率在甲烷百分比20%至70%之间从11.3nm/min升高到36.5nm/min,Rq值在甲烷百分比20%至60%之间变化不大,在70%有增大的趋势。甲烷反应溅射工艺,硅碳元素比例可调,但不易控制;基于碳化硅靶工艺,表面粗糙度Rq随沉积时间即膜层沉积厚度的增加变化不大,硅碳元素比接近1:1。两种工艺制备的薄膜均为8H-SiC。相同靶功率下硅靶反应溅射的沉积速率明显快于碳化硅靶。自由基微波离子源（Radical Plasma Source,RPS）设备刻蚀特性研究:采用朗缪尔探针表征RPS源产生的自由基等离子体,测得其离子/电子密度小于朗缪尔探针的检测下限（1012m-3）;水平方向RPS设备在Φ300mm范围刻蚀速率均匀度为3.4%;不同刻蚀角度（基片表面法线与RPS源轴线所夹锐角）,RPS刻蚀为各向异性,0°到75°,刻蚀速率从47.8nm·min-1 增加到74.2nm·min-1,75°到 90°,刻蚀速率减至 25.7mm·min-1;CF4质量流量由 500sccm 到 3000sccm,刻蚀速率由 59.7nm·min-1增加到 4889.8 nm·min-1,至 4000sccm,刻蚀速率又减小到3116.9 nm min-1;且随着CF4质量流量升高,刻蚀后表面残留物越来越多,XPS分析结果表明,残留物中主要存在氧、硅、碳、氟四种元素。自由基等离子体刻蚀SiC:经过多次实验,RPS没有刻蚀掉S-SiC,无法去除损伤层;随着CF4:O2气体流量比的升高,退火、未退火SiC薄膜的RPS刻蚀速率均表现为增加趋势;且未退火SiC薄膜刻蚀速率大于退火SiC薄膜;在相同RPS刻蚀工艺参数下,6H-SiC薄膜5次实验平均刻蚀深度为492.4nm,大于8H-SiC薄膜5次实验平均刻蚀深度441.0nm;实验中,随着CF4质量流量的增多,表面刻蚀残留物越来越多,XPS分析结果表明,表面残留物中主要存在氧、硅、碳、氟四种元素。RPS刻蚀S-SiC与SiC薄膜,差异巨大。
杨文灏[3]（2021）在《磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理研究》文中进行了进一步梳理近十几年,国内电子半导体行业发展迅速,对靶材的需求不断扩大,优良性能靶材的生产已成为支撑我国半导体行业发展的重要产业。磁控溅射靶材的利用率和溅射产额一直都是研究者广泛关注并着力解决的问题。靶材的利用率和溅射速率主要受靶材表面等离子体的影响,而等离子体在靶面的分布是由靶材背面的磁体所产生的磁场来决定。因此,优化磁场结构是提高靶材表面刻蚀均匀性的关键,而实际实验和生产中却很难做到靶材表面的均匀刻蚀来增加靶材的利用率。靶面水平磁场的不均匀性致使等离子体在靶面分布也是不均匀的,等离子体密度大的区域刻蚀严重。本文对刻蚀后的金属靶材分区域进行研究,研究了不同区域的等离子体的刻蚀行和刻蚀后的Ti靶表面形貌,以及Cu靶初始表面粗糙度和晶粒尺寸对溅射后表面形貌及其溅射性能的影响。这些研究不仅为靶材蚀刻蚀提供新的研究思路,而且对靶材的制造和质量监控有一定的实验和理论指导意义。磁控溅射对Ti靶的刻蚀从边缘区域的划痕等缺陷区域优先溅射转为表面的局部选择性溅射,再到晶界的溅射,最后到溅射最深处晶粒密排面的溅射,靶面不同区域表现出选择性溅射;经锻造轧制处理之后的Ti靶的不同溅射区域发生了不同程度的不完全再结晶,晶粒随溅射深度的增加逐渐增加;靶材各区域横截面晶粒大小与溅射后表面粗糙度高度相关,晶粒大小严重影响表面粗糙度。不同粗糙度的Cu试样严重影响其溅射后的表面形貌,在溅射刻蚀最深区出现凹坑和凸起连续分布的形貌,而在划痕不完全刻蚀区和划痕区出现了溅射蚀坑和不完全刻蚀的晶粒所形成的“亮点”;取向不同的晶粒表面溅射刻蚀后形成不同的宽度和高度的台阶状形貌;表面初始粗糙度越大的试样溅射10 h后,其溅射刻蚀最深区域的表面粗糙度也越大,溅射产额反而越小。晶粒尺寸明显影响靶材溅射刻蚀后的表面形貌。晶粒尺寸小的靶材试样溅射刻蚀边缘区域颗粒密度高,但颗粒大小与晶粒尺寸无关;在溅射刻蚀最深区域两种晶粒度的靶材都呈现较平坦的溅射形貌,晶粒尺寸较小的试样表面这种平坦的溅射形貌更细小均匀。两种晶粒尺寸的靶材溅射刻蚀的前7.5 h靶材的溅射产额略有上升,而后处于下降的趋势;晶粒尺寸为10～20μm的试样在每个阶段的溅射产额都大于晶粒尺寸为120～150μm的试样。靶材生命周期每一阶段的Cu靶溅射电压都呈现出先下降后逐渐趋于稳定的趋势,而腔体压力表现出先升高后逐渐趋于稳定;恒流模式下的靶材溅射刻蚀过程中,靶溅射电压在靶材寿命过程中保持持续下降,与靶材厚度不断减小导致靶材表面磁场强度增加相吻合。
张铭芳[4]（2021）在《半金属Co2FeAl薄膜的制备及对其磁性调控的研究》文中指出近年来,软磁材料优异的高频电磁特性广泛应用在网络通信和人工智能行业。具有面内磁各向异性的软磁材料可以优化其共振频率,面内各向异性越大,可控制的共振频率越高。如何实现对软磁材料面内磁各向异性的原位调控,成为获得软磁材料高频特性的重要环节。而电场调控具有低能耗、局域化等特点,成为调控软磁材料磁各向异性的首要选择。半金属Heusler合金Co2FeAl软磁材料因其高居里温度、高自旋极化率、低阻尼因子的特点,表现出巨大的应用潜力。因此本文利用磁控溅射制备具有良好有序度的Co2FeAl合金薄膜,探究外加电场对Co2FeAl合金薄膜面内磁各向异性的调控机制。得到以下结论:（1）获得具有良好有序度的Co2FeAl合金薄膜。利用磁控溅射在不同基底上制备Co2FeAl合金薄膜,通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）等测试手段探究不同的溅射功率、基底温度、溅射厚度对Co2FeAl合金薄膜晶体结构的影响。随着溅射功率的增加和衬底温度的升高,Co2FeAl合金薄膜的结晶度均得到改善,但当溅射功率过大,Co2FeAl合金薄膜的晶格有序度有所下降,并且随着厚度的增加,也能得到更为有序的晶格结构的Co2FeAl合金薄膜。（2）实现应力机制对Co2FeAl合金薄膜面内磁各向异性的调控。利用磁控溅射在单晶PMN-PT基底上制备具有良好有序度的Co2FeAl合金薄膜。在Co2FeAl/PMN-PT多铁异质结中,通过VSM静态磁性测试,发现随着外加电场的变化,面内磁化强度发生90°转动,这与应力随着电场的变化趋势一致,同时FMR动态磁性测试也得到类似结果,因此这种现象归因于应力机制。
李月[5]（2021）在《Cr涂层改善PET光学薄膜模具精密电铸质量的研究》文中进行了进一步梳理近年来,光学薄膜在新能源与节能技术、新媒体与信息技术中得到迅猛发展。光学薄膜表面的微细结构可以有效提高出光效率和光线利用率。光学薄膜的量产依赖热压印和光固化技术,二者均需要将工作模具上的微结构转印到聚合物薄膜上。精密电铸工艺以其表面复制精度高、生产效率高等优点,已成为制造工作模具的主要方法。工作模具的电铸质量取决于电沉积和脱模的质量。研究如何提高电沉积质量的报道很多,脱模时如何兼顾模具单个微结构的精度和大面积工作模具表面的完整性,仍面临巨大挑战。本文针对脱模过程中结合力过大导致模具精度降低的问题,研究涂层在脱模中的作用。以聚合物光学薄膜作为原始模具,使用磁控溅射的方式制备Cr涂层辅助脱模,对Cr涂层的制备工艺进行了系统的实验研究,优化了涂层制备工艺参数,并分析了Cr涂层降低电铸脱模结合力的机理。主要工作为以下几个方面:（1）Cr涂层的制备工艺。采用磁控溅射的方式制备Cr涂层,介绍了磁控溅射基本原理和薄膜沉积厚度的测量校正方法;同时介绍了光学接触角、XRD和XPS测试原理;研究了溅射功率、溅射时间、衬底温度、氩气流量及样品台转速对Cr涂层沉积量和模具表面粗糙度的影响。研究表明,Cr靶材溅射沉积量及均匀性对模具表面粗糙度影响显着。（2）PET光学薄膜模具微电铸工艺。搭建了微电铸实验平台,并研究了有无Cr涂层的对比方案。通过激光共聚焦显微镜、扫面电子显微镜、逆反射标志测量仪及测力仪对两组实验方案电铸脱模力、铸件工作表面形貌、粗糙度及逆反射系数进行了测量和分析。研究表明,采用Cr涂层能够有效降低电铸脱模力,并提高铸件工作表面质量及光学性能。（3）Cr涂层制备工艺参数优化。采用正交试验的方法研究了Cr涂层溅射工艺参数对铸件脱模强度、表面粗糙度及逆反射系数的影响。通过矩阵分析法得到正交实验的最优方案为:溅射功率为250W,溅射时间为15s,衬底温度为20℃,氩气流量为30sccm,样品台转速为20rpm;各个因素对正交实验的指标值影响主次顺序为:溅射时间>样品台转速>氩气流量>溅射功率>衬底温度。（4）Cr涂层降低界面粘附力的机理分析。设计了不同沉积厚度Cr涂层的实验,通过光学接触角测量仪、X射线光电子能谱仪及光学共聚焦显微镜对PET光学薄膜模具表面进行测试。研究表明,随着Cr涂层厚度的增加,模具表面的极性含氧官能团（C-O键和C=O键）数量明显减少,表面趋于疏水,表面粘附能量降低,同时Cr的存在提高了Ag导电层的结晶度;分析了各个因素对电铸脱模强度和铸层粗糙度的影响过程。
黄美林[6]（2021）在《磁控溅射沉积法在纺织布料上制备金属色和结构色纳米薄膜以及相关特性的研究》文中指出本论文利用金属、金属氧化物和氮化物、陶瓷材料等作为靶材,采用磁控溅射方法在纺织布料表面沉积形成一定结构、组分、厚度和外观形态的单层或多层薄膜,制备了具有金属色或结构色外观效应的纺织品。讨论了相关生色机理;阐明了薄膜纳米结构、表面形貌、组成成分、晶体结构等与相关的光学性能及其它特性的关系;分析了薄膜吸收色、金属色或干涉结构色的形成机理和调控规律;研究了薄膜与基底结合牢度和色彩稳定性的问题;验证了在纺织布料表面形成结构色的理论模型。主要工作如下:第一,讨论了颜色的分类、结构色的生色机理和实现途经,以及颜色包括结构色的表征方法;对相关结构色纺织品的制备方法、研究现状与发展作了综述;分析了相关真空溅射沉积薄膜制备技术及它们的结构生色着色原理。针对利用真空物理气相沉积技术制备金属色或结构色纺织品的如生色机理、色彩调控、色彩稳定性等相关关键技术和问题还需进一步深入探讨,提出本课题的研究内容及研究方法。第二,在聚丙烯（PP）无纺布基底上分别溅射沉积金属铜薄膜和不锈钢薄膜,讨论本底真空度、溅射工作气压、气体流量和溅射功率这四个参数对在纺织布料上沉积金属薄膜的影响,以优化溅射工艺。经分析,这四个因素对薄膜沉积速率的影响按重要性排序是:溅射功率>气体流量>工作气压>本底真空度。较优的工艺参数是:本底真空度为5×10-3Pa、Ar气流量为35ml/min、溅射功率为100W、溅射工作气压为0.5Pa。另外,设计和改造了一个应用在溅射室内的样品夹持器和一个标准灯箱。第三,在PP无纺布基底上溅射沉积了单层铜及其氧化物薄膜,获得了具有金属色外观效应的纺织品,讨论了氧气流量变化对样品的颜色和相关特性的影响。镀膜样品的颜色受氧气流量变化影响,决定于薄膜元素组成及其相对含量。随氧气流量的增加,薄膜表面Cu含量下降并逐渐变为Cu2O和CuO。随着CuO含量的增加,K/S值下降,颜色变浅,颜色亮度提高。氧化铜薄膜在纤维表面覆盖良好,整体表现为非晶态结构。镀氧化铜膜样品的疏水性有所提高,但氧气流量的影响不大。紫外防护性能（UPF）总体随氧气流量的增加和膜厚的减小而降低。空白PP无纺布静电消除能力很弱;镀铜膜样品静电衰减很快;而镀氧化铜膜样品因单质Cu向Cu2O、CuO转变使静电现象越来越明显,静电消除能力下降,但比空白样品好。第四,在不同基底上溅射沉积TiO2和SiO2复合的多层薄膜,制备了具有结构色效应的丙纶无纺布基底[TiO2/SiO2]k（k=2、3、4、5）复合结构薄膜,以及分别以丙纶无纺布和涤纶机织布为基底的[SiO2/TiO2]3复合结构薄膜,讨论了层叠结构与循环周期对样品相关光学特性的影响。同为丙纶无纺布基底的[TiO2/SiO2]k复合结构薄膜与[SiO2/TiO2]k复合结构薄膜两者的理论模型是一致的,最强反射峰的位置和个数与理论计算的结果基本一致。相同循环周期和相同基底的[SiO2/TiO2]k薄膜的反射率比[TiO2/SiO2]k薄膜的高,折射率较大的涤纶基底样品又比折射率较小的丙纶基底样品的反射率高。具有结构色效应样品获得了优异的紫外线防护性能。第五,利用磁控溅射方法将稀土 Nd掺杂在TiO2薄膜中,制备了多种Nd与TiO2复合的薄膜,讨论了 Nd和TiO2混合比例对抗菌性能和其它特性的影响。未镀膜的丙纶无纺布原样没有抗菌能力;单层TiO2薄膜的抗菌性比单层Nd薄膜的要好,而且TiO2薄膜沉积时间较长有利于提高其抗菌率;二层结构薄膜的抗菌率均比单层薄膜的高,表明TiO2与Nd的复合有利于提高抗菌性能;三层结构复合薄膜的抗菌性又比二层结构的好,证明TiO2与Nd的相对含量对抗菌性能有影响。研究表明,无论沉积单层、二层还是三层的薄膜对原样颜色影响不大,基本不会改变原样的颜色。在不考虑膜厚情况下,TiO2薄膜掺杂Nd并不能大幅提高样品紫外线防护性能。第六,在聚酯机织物基底上溅射沉积单层铜及其氧化物薄膜,获得了如黄铜色、金色、棕色、深红色、军绿色、深绿色等丰富的金属色外观效果,讨论了溅射电流对样品的颜色和相关特性的影响。镀膜样品的金属颜色为吸收色而非结构色,最终颜色主要由薄膜的成份、含量及结构决定,但受溅射电流的影响;通过调节溅射电流可获得不同的颜色,为简化沉积工艺提供了参考。溅射电流大小明显地影响样品的色相和亮度,溅射电流增大会增加膜的厚度,可见光的吸收增加,反射减少,颜色亮度降低。铜氧化物薄膜中存在C、O、N和Cu元素,表面成分主要由Cu2O和Cu（OH）2组成,两者的相对含量影响薄膜的色相;其中Cu（OH）2的含量占主导地位,随溅射电流的增加而略有增加。薄膜结晶度对亮度有一定的影响,平均晶粒尺寸约为80-101A。薄膜的光学带隙在1.8-2.2eV之间,对应的光吸收边在570-670nm附近。溅射电流的增加,薄膜厚度增大,薄膜的结晶度有所增加,光学带隙减小,吸收边出现红移。薄膜在纤维表面上覆盖良好,镀氧化物膜织物的干摩擦色牢度和湿摩擦色牢度均等于或高于3级,表明薄膜与基底的结合牢度良好。通过镀氧化铜膜,大大提高了涤纶基底织物的疏水性和紫外线防护性能。镀有氧化铜膜织物的透气性与空白样品相比变化不大,镀膜不影响原织物的通透性。第七,在聚酯机织物基底上分别沉积单层氮化铜薄膜和单层氮化钛薄膜,制备了从淡灰色到淡黄色不等的金属色效应的纺织品,讨论了溅射电流变化对样品的颜色和相关特性的影响。所得颜色均为吸收色而非结构色,镀膜样品颜色色调和亮度均决定于薄膜的元素组成及相对含量、结晶态、表面形貌和溅射电流（或膜厚）的变化,调节溅射电流可获得不同的颜色。氮化铜薄膜包含单质Cu、Cu2O与Cu（OH）2,其中Cu（OH）2占主要比例,共同影响镀膜后织物的外观颜色;光学带隙为2.16eV,对应吸收边574nm。氮化钛薄膜颜色受组分TiO2和TiON两者相对含量的影响,其中TiO2占比较大,光学带隙为2.35eV,对应吸收边528nm。随着溅射电流的增大,两系列样品的膜厚增加,对可见光的吸收增加,反射率下降,颜色亮度下降;光学带隙减小,吸收边出现红移。两系列薄膜多为非晶态,溅射电流的变化对薄膜结晶度、晶粒尺寸的影响不大,因而薄膜结晶度和晶粒尺寸对颜色的影响不明显。镀氮化铜样品的紫外线防护性能显着提高,UPF随着溅射电流的增加而迅速增大,UPF平均值为234.1;而镀氮化钛样品的紫外线防护性能比空白样品有所提高,UPF平均值为106.4。镀氮化铜膜样品静电现象比空白样品严重,而镀氮化钛膜样品则具有良好的抗静电性能。结果表明,溅射镀膜制备金属色或结构色纺织品是一种可靠的方法。同时,镀膜可提高对紫外线的防护性能、拒水性能和抗静电性能等,薄膜与基底结合的牢度良好,原布料的透气性基本不变。本文的工作为金属色、结构色纺织品和功能性纺织品的产业化提供了参考。
房晓彤[7]（2021）在《高硬度（AlSiTiVCrNb）N高熵合金薄膜形成机制及其性能研究》文中提出性能优异的高熵合金（High entropy alloys,HEAs）在制造加工领域受到广泛关注,作为一种全新的高性能薄膜,HEAs薄膜往往呈现出优异的综合性能,具有重要的科学研究意义和实际应用价值。在薄膜沉积过程中,通过引入N和C元素形成的高熵合金氮化物和碳化物薄膜具有高硬度、热稳定性、耐腐蚀和耐磨等特性。本论文通过调控反应磁控溅射沉积工艺参数（溅射功率、负偏压、衬底温度和N2气流量）及多层结构设计等,在Si基底和高速钢表面制备高硬度、强附着的（AlSiTiVCrNb）N和（AlSiTiVCrNb）CN高熵合金薄膜及多层膜,为其在各领域的实际应用提供实验支撑。利用X射线衍射和透射电镜对高熵合金薄膜的结构进行分析,采用扫描电镜观察表面颗粒大小、断口形貌、薄膜厚度和磨损形貌,利用能谱仪分析高熵合金薄膜不同区域元素种类与含量,并通过白光干涉仪获得样品表面粗糙度及磨痕三维形貌;采用纳米压痕仪测量薄膜硬度和杨氏模量,利用摩擦学试验机对薄膜的摩擦系数和磨损率进行测试分析,采用动电位极化测试表征薄膜的耐腐蚀性能,利用划痕仪检测薄膜与基体的结合力。研究结果如下:通过正交实验发现,反应磁控溅射制备的（AlSiTiVCrNb）N高熵合金薄膜主要由FCC固溶纳米晶和少量非晶相构成,从XRD图谱中可看到其复合膜特征的衍射峰,薄膜中不同元素的沉积量与靶材中各元素含量对应;薄膜靠近Si基底部分无明显生长方向,颗粒细小致密,而远离基体部分的薄膜可观察到明显的垂直于硅片方向的柱状生长特征;该薄膜厚度随工艺变化波动,其中功率对膜厚控制起着决定性作用;力学性能受工艺参数影响大小:温度>负偏压>功率,硬度最高为37.24 GPa,是AlSiTiVCrNb靶材硬度的3.3倍。随碳靶功率增加,所制备的（AlSiTiVCrNb）CN薄膜沉积速率、应力、硬度及膜基结合力均降低,碳靶功率150 W时薄膜耐磨性最佳;随基底温度或负偏压增加,（AlSiTiVCrNb）CN薄膜结晶度降低、表面粗糙度增加,450℃时薄膜硬度最大,负偏压为250V薄膜综合性能最优;在最佳工艺参数条件下制备的（AlSiTiVCrNb）N和（AlSiTiVCrNb）CN高熵合金薄膜硬度分别为40.87 GPa和37.31 GPa,对比发现碳元素的引入可抑制柱状晶的生长。长时间连续溅射制备薄膜厚度虽然增加但表面颗粒粗化、硬度急剧降低且应力过大易导致薄膜与基体剥离。为优化薄膜性能、降低薄膜内应力,设计通过改变调制周期制备（AlSiTiVCrNb）N/（AlSiTiVCrNb）CN多层膜,以间隔层叠的方式控制高熵合金薄膜的柱状生长。结果表明:多层膜表面颗粒细小、分布均匀、无团聚现象且生长速率提高;调制周期较大时多层膜层界面清晰、膜层间硬度差异大,导致磨痕边界出现脆裂失效,当调制周期为7.67 nm时,薄膜硬度最大为47.43 GPa,同时膜基结合力提高超10 N;热震实验发现调制周期<10 nm的薄膜表面出现氧化产物,但并未出现明显的脱落或鼓包现象。
沈娟[8]（2021）在《铜薄膜的制备及其可见红外电磁波吸收性能研究》文中指出随着不可再生能源逐渐消耗殆尽,清洁能源特别是太阳能的高效利用变得越来越重要,这使得具有良好光响应特性的材料研究愈加广泛。具有良好光响应特性,特别是光吸收强的材料在太阳能电池、传感器、红外隐身材料等领域有重要的潜在应用价值。一般材料会在特定频段有较高的光吸收强度,如果材料在很宽频段/波长范围内具有很强的光吸收特性,就能更加高效的利用太阳光,因此本论文主要聚焦通过材料选择以及表面微结构的优化以实现在宽频段能获得优异的光吸收性能。本文重点关注了材料的种类、表面粗糙度、表面微结构等因素对光吸收的影响,发现铜纳米井阵列薄膜在紫外-可见-近红外波段（波长从200 nm～2500 nm）的宽频均可获得很强的光吸收性能。本论文主要研究了以下三部分内容:（1）研究银、铜、钴三种金属薄膜在不同粗糙度和表面微结构时的光学性能。结果表明相同粗糙度的银、铜、钴薄膜的反射率不同,粗糙度从1 nm增加到200 nm时,银薄膜的反射率从98%降至59%,铜薄膜的反射率从96%降至50%,钴薄膜的反射率从68%降至45%。三种金属薄膜的反射率均随着薄膜表面粗糙度的增加而减弱,即光吸收性能随粗糙度增加而增强。在更加粗糙的具有纳米孔洞的阳极氧化铝模板（AAO）基底上,利用磁控溅射制备出银、铜、钴纳米井阵列薄膜。所制备出的银、铜、钴纳米井阵列薄膜光吸收性能测试,发现在200 nm～2500 nm波长范围内:银纳米井阵列薄膜吸光率的平均值为89.3%;铜纳米井阵列薄膜吸光率的平均值为99.4%;钴纳米井阵列薄膜吸光率的平均值为97.1%。这证明了金属薄膜表面纳米化使其光吸收性能得到较大提升。比较发现铜纳米井阵列薄膜的光吸收性能较好,同时在这三种膜中具有较好的力学性能。因此在后续研究中,重点对具有不同孔径铜纳米井阵列薄膜展开研究。（2）比较研究不同孔径的铜纳米井阵列薄膜的光吸收性能。分别以300 nm、400nm、500 nm、600 nm、700 nm孔径的AAO为模板,制备了不同孔径的铜纳米井阵列薄膜。通过XRD和SEM分别对所制备出的样品进行物相和形貌的表征,利用紫外/可见光用分光光度计（UV-Vis-NIR）测试光吸收性能。发现这5种孔径大小的纳米井阵列薄膜在200 nm～560 nm左右的吸光性能相近（97%～98%）,波长大于560 nm时的光学性能开始变化,光吸收效率分别处于94%、99%、89%、87%、75%附近,总结得出400 nm孔径的铜纳米井阵列薄膜的光吸收性能最优异,光吸收效率在98%～99%范围内。主要原因在于铜纳米井特殊的管状与孔洞结构,可以更好地捕获光,同时铜纳米井阵列薄膜具有表面等离子体共振耦合效应。（3）光热转换效率实际应用初步探索研究。不同孔径铜纳米井阵列薄膜在太阳光、模拟太阳光、紫外光照射下的温升情况,通过时间-温度进行表征分析。最后一次优化实验装置后的测试结果较好,其中温度变化最显着的一组实验是模拟光照射,空白对照组（温度探头）温度从21.8℃上升至30.8℃,温度上升值仅有9℃;而不同孔径大小的铜纳米井阵列薄膜温度上升值较大（均超过24℃）,其中400 nm孔径的铜纳米井阵列薄膜温度上升值最大,达到26.9℃,这与前面400 nm孔径的铜纳米井阵列薄膜的光吸收性能最佳相符。纳米井阵列铜膜是基于对薄膜材料表面纳米化处理的薄膜,它能够在宽频段实现强吸收,从而使其成为光热转换中特别有应用前景的材料。本论文的研究结果对具有纳米井阵列的金属薄膜的在光热转换领域的应用有重要支撑。
孔令刚[9]（2021）在《熔盐线性菲涅尔式光热电站集热系统关键技术研究》文中提出线性菲涅尔式太阳能热发电具有清洁无污染、大规模储能、出力稳定可调等一系列优势,是构建现代能源体系一项变革性技术。随着太阳能热发电国家首批示范项目的实施,该技术正在受到广泛关注。当前,聚光太阳能热发电技术正在向着低成本、高效率、大装机容量的技术方向发展。针对这个趋势,本文以敦煌大成高温熔盐线性菲涅尔式光热电站集热场为研究对象,选取集热系统中的若干关键技术环节—高温选择性吸收膜可控制备、聚光集热系统光学效率和热损特性、集热系统出口温度控制等问题开展研究。论文的主要研究内容和结果如下:（1）针对高温选择性吸收膜低成本可控制备关键技术,首先研究了WOx基光热转换涂层单靶自掺杂制备工艺。采用反应溅射技术分别制备了单层WOx薄膜和多层渐变WOx基光热转换涂层,光学性能分析显示,自掺杂WOx基光热转换涂层具有非常优异的光学吸收性能,吸收率达到93.2%,发射率为5.8%。（2）分析了自掺杂反应溅射工艺控制要求,提出采用靶电压作为反馈量闭环调节反应气体流量的控制方案,设计采用模糊伪微分反馈控制（Pseudo Differential Feedback,PDF）策略解决反应溅射过程的非线性和稳定控制问题。Matlab/Simulink仿真结果表明,对比常规的PDF和PID控制策略,对于参数时变的二阶系统,模糊PDF控制策略具有良好的动态响应性能、极强的抗干扰能力和鲁棒性。在此基础上设计了基于现场总线的嵌入式反应溅射控制器模块,并在选择性吸收膜镀膜生产线中进行了初步应用,实验验证了该方案的实用价值。（3）为研究掌握实际运行的线性菲涅尔式集热系统的光学性能和热损特性,首先基于线性菲涅尔式聚光器理论模型,计算并分析了聚光器的余弦损失、端部效应、阴影遮挡效应,利用Trace Pro软件,采用光线追踪法模拟得到聚光器的入射角修正系数,获得聚光器的动态光学效率模型;接着模拟测试了环境工况（环境温度、风速、直射辐照）对不同状态的集热管（真空状态良好、非真空状态、裸管状态）热损的影响。以此为基础,在敦煌大成熔盐线性菲涅尔式集热支路测试系统上,选择三种典型集热工况,采用准动态法进行循环集热实验,采用多元线性回归最小二乘法辨识得到集热系统在典型工况下的动态模型参数。测试结果表明,实际运行中的线性菲涅尔式集热系统,聚光器实际几何光学效率约为64%,系统热损在不同工况下呈现出较大的分散性,高温区段热损分散性更加明显。研究结果提示在高温熔盐线性菲涅尔式集热系统研究和设计工作中,应充分考虑运行工况对集热系统的影响。（4）针对高温熔盐线性菲涅尔式集热系统大滞后、大惯性、参数时变的特点,提出模糊增益调度多模型预测控制策略。根据集热系统典型工况下的参数集,建立了出口温度控制在典型工况点的线性模型和全局模糊模型,选取集热系统净集热量为多模型预测控制的调度变量。利用Matlab对该控制算法进行了仿真研究,结果表明控制系统的动态性能、静态误差、抗扰动等性能优越,复杂天象条件下集热系统出口温度控制精度达到±8℃。该控制策略可以为线聚焦光热电站大规模集热系统出口温度控制提供参考和借鉴。本文还专门设计了基于可编程控制器的集热支路流量就地控制器。由此提出以集热场分布式控制系统（Solar Field Control System,SCS）为架构的集热支路出口温度控制方案,作为进一步试验和研究的基础。
吴彼[10]（2021）在《钛合金表面二硼化钛涂层制备及其摩擦学行为研究》文中研究说明航空发动机压气机中铝基封严涂层的使用可以显着提高压气机气路密封性能。铝基封严涂层以自身的牺牲磨耗而实现保护钛合金叶尖的目的。但其在高速刮擦过程中易于大量粘着转移至叶尖表面,进而降低发动机转子系统运行稳定性。在钛合金叶尖表面沉积制备功能化抗粘着磨损涂层是抑制铝基封严涂层粘着转移的有效方法之一。本文采用闭合场非平衡磁控溅射工艺在钛合金基体表面制备TiB2涂层,通过工艺参数的优化,调控TiB2涂层结构与性能。在此基础上对TiB2涂层进行多层结构设计,进一步改善涂层的机械性能和摩擦学行为。而后使用摩擦磨损实验机模拟航空发动机压气机高温和高速工况,研究钛合金表面TiB2涂层与铝基封严涂层（工业纯铝）在磨损过程中Al的粘着转移行为及规律。全文通过实验分析,获得的主要结论如下:改变磁控溅射工艺参数中的靶基距可调控钛合金表面TiB2涂层成分、结构和硬度。靶基距由50 mm提高至200 mm,TiB2涂层结构由具有（001）晶面择优取向的致密无特征结构转变为（101）晶面择优取向的柱状晶结构,涂层硬度降低。同时,洛氏压痕法评价的TiB2涂层与钛合金基体结合强度得到大幅改善,结合强度评级由HF5级提高至HF1级。通过实验分析结果,提出基于涂层硬度和显微结构的膜基结合强度评价因子G,其与洛氏压痕法膜基结合强度评级能够良好对应。在不同溅射功率和基体偏压条件下,沉积涂层生长始终遵循总自由能最低原则。随溅射功率的提高或基体偏压的降低,生长涂层表面能和应变能相互竞争,使涂层由（001）择优取向转变为（101）择优取向。涂层显微结构、残余应力和硬度亦随之发生改变。此外,溅射功率和偏压的调整对涂层膜基结合强度和断裂韧性存在影响,并最终改变涂层的摩擦学行为。当溅射功率为500W,基体偏压为-60 V时,钛合金表面TiB2涂层体现出较佳的断裂韧性（1.99 MPa·mm1/2）和较低磨损率（3.30×10-5mm3N-1m-1）。对比分析涂层性能和磨损率,获得钛合金表面TiB2涂层与Si3N4球对摩的磨粒磨损耐磨性综合评价指标。通过有限元应力分析方法优化TiB2/Cr多层涂层层厚比Q的设计,参照有限元模型设计,采用磁控溅射工艺在钛合金基体表面制备TiB2/Cr多层涂层。多层结构使涂层内部残余压应力得到有效释放,涂层硬度降低,膜基结合强度和韧性得到改善。在Q=0.5时,由于TiB2/Cr多层涂层具有最小的等效应力集中面积和最佳的断裂韧性,因而获得优异的耐磨性,其磨损率仅为TiB2单层涂层的30%左右。采用高温销-盘摩擦磨损实验机评价模拟航空发动机压气机的高温工况下沉积TiB2涂层钛合金基体与工业纯铝对摩的粘着磨损行为。研究发现当温度升高至150℃时,由于TiB2涂层表面H3BO3润滑膜的形成,使摩擦系数处于较低水平。TiB2涂层磨痕表面Al粘着转移层覆盖率低于室温条件。随温度进一步提高至300℃,H3BO3润滑膜分解,摩擦系数升高,涂层磨痕表面Al粘着转移层覆盖率和转移层厚度亦大幅增加。Al销的涂抹和剪切机制相互竞争,共同决定涂层表面Al的粘着转移程度。此外,滑动速度的提高,促进Al销对Al粘着转移层的剪切去除,进而降低TiB2涂层磨痕表面Al粘着转移层覆盖率。最后,将涂层磨痕内Al粘着转移程度与Al销磨损程度进行归一化处理,获得给定对摩副的抗粘着磨损能力系数Ac,其可以更加准确的表征对摩副的抗粘着磨损性能。采用高速刮擦实验机评价模拟航空发动机压气机的高速工况下Ti6A14V叶尖和沉积TiB2涂层的Ti6A14V叶尖与Al-hBN封严涂层的高速刮擦磨损行为。通过对Al粘着的Ti6A14V叶尖界面进行表征和分析,建立Al粘着的Ti6A14V叶尖高速刮擦摩擦学界面反应和热应力分布模型。当刮擦线速度为300m/s时,Al粘着的Ti6A14V叶尖界面处存在梯度成分Ti-Al界面扩散反应层,可有效释放界面处的热应力,使Al粘着转移层和Ti6A14V叶尖紧密结合。因此在高刮擦线速度条件下,Al-hBN封严涂层向Ti6A14V叶尖粘着转移现象严重。采用磁控溅射工艺在Ti6A14V叶尖表面沉积制备TiB2涂层可有效抑制Al-hBN封严涂层的粘着转移现象。在高刮擦线速度下（300m/s）,TiB2改性钛合金叶尖表面存在较薄的Al粘着转移层,Al粘着转移层与TiB2涂层界面间会出现界面反应层。由TiB2/Al界面反应和热应力分布模型可发现,TiB2/Al界面处较薄的界面反应层使界面处产生较高的热应力,界面反应层和Al粘着转移层易与TiB2涂层发生剥离。因此沉积TiB2改性Ti6A14V叶尖表面Al粘着转移现象得到有效抑制。
二、磁控溅射工艺控制模式比较（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、磁控溅射工艺控制模式比较（论文提纲范文）
（1）基于磁控溅射法的二硫化钼薄膜的制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 二硫化钼的结构及性质 |
| 1.2 二硫化钼的应用 |
| 1.2.1 光电器件 |
| 1.2.2 电容器件 |
| 1.2.3 场效应晶体管(FET) |
| 1.2.4 气敏传感器 |
| 1.3 二硫化钼薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 “自上而下”法 |
| 1.3.2 “自下而上”法 |
| 1.4 选题依据及研究内容 |
| 1.4.1 选题依据 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第2章 实验原理和实验设备 |
| 2.1 实验原理 |
| 2.2 实验制备装置 |
| 2.2.1 JS3S-80G型磁控溅射系统 |
| 2.2.2 硫化设备 |
| 2.3 实验耗材 |
| 2.3.1 衬底 |
| 2.3.2 磁控溅射靶材及硫粉 |
| 2.3.3 磁控溅射靶材气体 |
| 2.3.4 实验所需试剂 |
| 2.4 实验所需测试仪器 |
| 第3章 磁控溅射法结合硫化技术制备低维二硫化钼 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 二硫化钼薄膜的制备 |
| 3.2.2 薄膜的性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 XRD分析 |
| 3.3.2 AFM与 SEM分析 |
| 3.3.3 拉曼光谱分析 |
| 3.3.4 薄膜的吸收光谱 |
| 3.3.5 XPS谱分析 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 溅射工艺条件对二硫化钼薄膜性能的影响 |
| 4.1 衬底与靶材间距对二硫化钼薄膜性能的影响 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.1.3 结果与讨论 |
| 4.1.4 结论 |
| 4.2 衬底材质对二硫化钼的影响 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.2.3 结果与讨论 |
| 4.2.4 结论 |
| 4.3 溅射时间对二硫化钼薄膜的影响 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 实验方法 |
| 4.3.3 结果与讨论 |
| 4.3.4 结论 |
| 4.4 溅射温度对二硫化钼薄膜的影响 |
| 4.4.1 引言 |
| 4.4.2 实验方法 |
| 4.4.3 结果与讨论 |
| 4.4.4 结论 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果和获奖情况 |
| 致谢 |
（2）碳化硅元件自由基等离子体加工关键工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题来源及研究背景 |
| 1.2 超光滑表面的加工方法 |
| 1.3 等离子体光学加工国内外研究现状 |
| 1.4 本文研究内容及章节安排 |
| 2 实验平台及相关测试技术 |
| 2.1 技术路线 |
| 2.2 磁控溅射 |
| 2.3 RPS-350型自由基等离子体刻蚀抛光系统 |
| 2.4 测试设备及技术 |
| 2.4.1 朗缪尔探针 |
| 2.4.2 Zygo Newview 8200白光干涉仪(WLI) |
| 2.4.3 Taylor Hobson PGI Optics接触式轮廓仪 |
| 2.4.4 椭偏仪 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM) |
| 2.4.6 X射线衍射仪(X-Ray Diffractometer,XRD) |
| 2.4.7 X光电子能谱仪(X-ray Photo-electronic Spectroscopy,XPS) |
| 2.4.8 光纤光谱仪 |
| 3 磁控溅射制备SiC改性层工艺探索 |
| 3.1 SiC靶直接溅射 |
| 3.2 硅靶反应溅射 |
| 3.3 两种工艺的对比总结 |
| 3.3.1 沉积速率 |
| 3.3.2 表面粗糙度 |
| 3.3.3 薄膜组分 |
| 3.3.4 晶体结构 |
| 3.3.5 两种工艺总结 |
| 3.4 SiC薄膜退火 |
| 3.5 小结 |
| 4 自由基微波离子源设备刻蚀特性研究 |
| 4.1 微波远端等离子体源(RPS)等离子体表征 |
| 4.2 刻蚀均匀性 |
| 4.2.1 水平方向 |
| 4.2.2 不同刻蚀角度(基片表面法线与RPS源轴线所夹锐角) |
| 4.3 不同工作气体流量刻蚀 |
| 4.4 刻蚀前、后表面及残留物分析 |
| 4.5 小结 |
| 5 自由基等离子体刻蚀SiC |
| 5.1 刻蚀S-SiC |
| 5.2 刻蚀SiC薄膜 |
| 5.2.1 不同工作气体流量比刻蚀退火、未退火SiC薄膜 |
| 5.2.2 刻蚀不同晶型SiC薄膜 |
| 5.2.3 刻蚀前、后表面及残留物分析 |
| 5.3 刻蚀S-Sic与刻蚀sic薄膜对比 |
| 5.4 小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（3）磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景和意义 |
| 1.2 磁控溅射镀膜技术概述 |
| 1.2.1 磁控溅射镀膜技术的发展 |
| 1.2.2 磁控溅射原理 |
| 1.3 磁控溅射靶材的制备方法及技术要求 |
| 1.3.1 靶材的制备方法 |
| 1.3.2 靶材的技术要求 |
| 1.4 磁控溅射靶材刻蚀行为研究进展 |
| 1.4.1 磁控溅射靶材刻蚀实验研究进展 |
| 1.4.2 磁控溅射靶材的刻蚀模拟研究进展 |
| 1.4.3 磁控溅射靶材结构优化研究进展 |
| 1.5 主要研究内容 |
| 1.6 本章小结 |
| 第2章 实验方法与设备 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 试样退火处理 |
| 2.3 靶材的刻蚀实验设备及工艺参数 |
| 2.3.1 磁控溅射设备 |
| 2.3.2 试验工艺参数 |
| 2.3.3 溅射试验过程 |
| 2.4 靶材溅射性能分析测试方法 |
| 2.4.1 靶材微观组织分析及设备 |
| 2.4.2 靶材溅射刻蚀后表面形貌分析及设备 |
| 2.4.3 靶材三维形貌分析及设备 |
| 2.4.4 靶材试样溅射性能分析及设备 |
| 2.4.5 粒径分布计算 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 靶材表面刻蚀形貌及其溅射机理研究 |
| 3.1 试验材料和方法 |
| 3.2 不同溅射区域表面刻蚀形貌 |
| 3.2.1 表面SEM形貌 |
| 3.2.2 表面WLI形貌 |
| 3.2.3 SEM和 WLI形貌结合分析 |
| 3.3 横截面微观组织特点 |
| 3.4 晶粒大小与表面粗糙度 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 原始表面粗糙度对靶材表面形貌及其溅射性能的影响 |
| 4.1 试验材料和方法 |
| 4.2 溅射刻蚀后表面SEM形貌分析 |
| 4.2.1 不同原始粗糙度试样溅射刻蚀后表面形貌 |
| 4.2.2 晶粒表面溅射刻蚀形貌 |
| 4.3 溅射刻蚀后的试样表面粗糙度 |
| 4.4 不同原始粗糙度试样对溅射产额的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 晶粒尺寸对靶材表面刻蚀形貌及其溅射性能的影响 |
| 5.1 实验材料及方法 |
| 5.2 晶粒尺寸对溅射区域表面形貌的影响 |
| 5.2.1 不同晶粒尺寸试样溅射刻蚀后表面形貌 |
| 5.2.2 靶材溅射区域表面形貌变化规律 |
| 5.3 不同晶粒度靶材溅射过程中溅射电压和腔体压力的变化 |
| 5.4 晶粒尺寸对靶材溅射性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（4）半金属Co2FeAl薄膜的制备及对其磁性调控的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 2 研究背景及研究进程 |
| 2.1 半金属Heusler合金的理论背景 |
| 2.2 半金属Heusler合金Co_2FeAl薄膜制备工艺的研究背景 |
| 2.3 电场对铁磁材料磁性的调控机制 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 半金属Heusler合金Co_2FeAl薄膜制备工艺的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Co_2FeAl合金薄膜的制备方法及原理 |
| 3.2.1 Co_2FeAl合金薄膜的制备方法 |
| 3.2.2 磁控溅射Co_2FeAl合金薄膜的原理 |
| 3.2.3 磁控溅射工艺对Co_2FeAl合金薄膜的影响 |
| 3.3 溅射功率对Co_2FeAl合金薄膜结构的影响 |
| 3.4 衬底温度对Co_2FeAl合金薄膜结构的影响 |
| 3.5 薄膜厚度对Co_2FeAl合金薄膜结构的影响 |
| 3.6 衬底选择对Co_2FeAl合金薄膜结构的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 电场调控半金属Heusler合金Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结磁性的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结的制备和表征 |
| 4.2.1 Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结的制备 |
| 4.2.2 Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结的磁性表征技术 |
| 4.3 电场调控Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结静态磁性的研究 |
| 4.3.1 电场调控Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结的面内磁各向异性 |
| 4.3.2 电场调控Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结的剩磁态 |
| 4.4 电场调控Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结磁性的机制 |
| 4.5 电场调控Co_2FeAl/PMN-PT多铁异质结动态磁性的研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
（5）Cr涂层改善PET光学薄膜模具精密电铸质量的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 精密电铸技术及其在模具制造中的应用 |
| 1.2.1 精密电铸原理及特点 |
| 1.2.2 精密电铸在模具制造中的应用 |
| 1.3 精密电铸脱模粘附及方法研究 |
| 1.3.1 表面粘附及影响因素 |
| 1.3.2 电铸脱模方法研究现状 |
| 1.4 抗粘涂层及制备方法 |
| 1.4.1 抗粘涂层降低表面粘附力研究 |
| 1.4.2 常规抗粘涂层制备方法 |
| 1.5 研究目的和内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 物理气相沉积法制备Cr涂层 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 磁控溅射系统工作原理 |
| 2.2.1 实验原理 |
| 2.2.2 薄膜形核与生长 |
| 2.2.3 溅射薄膜沉积速率影响因素 |
| 2.2.4 实验流程 |
| 2.2.5 溅射膜厚测量及校正 |
| 2.3 Cr涂层表面的表征 |
| 2.3.1 表面接触角及表面能测试 |
| 2.3.2 涂层表面物相分析测试 |
| 2.3.3 涂层表面材料成分及化学状态测试 |
| 2.4 溅射工艺参数对Cr涂层及模具表面质量的影响 |
| 2.4.1 溅射功率对涂层形貌及表面粗糙度的影响 |
| 2.4.2 溅射时间对涂层形貌及表面粗糙度的影响 |
| 2.4.3 氩气流量对涂层形貌及表面粗糙度的影响 |
| 2.4.4 衬底温度对涂层形貌及表面粗糙度的影响 |
| 2.4.5 样品台转速对涂层形貌及表面粗糙度的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 PET光学薄膜模具精密电铸实验 |
| 3.1 精密电铸实验 |
| 3.1.1 实验材料及前处理 |
| 3.1.2 实验流程及方案 |
| 3.1.3 电铸工艺参数 |
| 3.1.4 实验设备 |
| 3.2 精密电铸件性能测试 |
| 3.2.1 脱模强度 |
| 3.2.2 表面粗糙度 |
| 3.2.3 微观形貌及能谱 |
| 3.2.4 反光性能 |
| 3.3 精密电铸实验结果 |
| 3.3.1 脱模强度 |
| 3.3.2 电铸件表面粗糙度 |
| 3.3.3 电铸件表面微观形貌 |
| 3.3.4 电铸件反光系数 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 涂层制备工艺参数优化 |
| 4.1 Cr涂层改善PET光学薄膜模具精密电铸的正交实验 |
| 4.1.1 正交实验过程 |
| 4.1.2 正交实验结果及分析 |
| 4.1.3 正交实验矩阵分析法确定最优工艺参数 |
| 4.2 本章小结 |
| 第5章 Cr涂层改善PET光学薄膜模具精密电铸质量分析 |
| 5.1 表面微观形貌和粗糙度 |
| 5.2 表面接触角和表面能 |
| 5.2.1 接触角测量及分析 |
| 5.2.2 表面能计算及分析 |
| 5.3 Cr涂层对PET光学薄膜模具表面化学特性及晶体结构的影响 |
| 5.3.1 表面光电子能谱分析 |
| 5.3.2 表面X射线衍射分析 |
| 5.4 电铸脱模强度的变化分析 |
| 5.5 正交实验影响因素对脱模强度和粗糙度的影响分析 |
| 5.5.1 脱模强度 |
| 5.5.2 铸件表面粗糙度 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在学期间科研成果情况 |
（6）磁控溅射沉积法在纺织布料上制备金属色和结构色纳米薄膜以及相关特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景、目的和意义 |
| 1.2 颜色与结构色 |
| 1.2.1 光波与颜色 |
| 1.2.2 色素色与结构色 |
| 1.2.3 结构色生色机理 |
| 1.2.4 颜色(色彩)的测量与表征 |
| 1.3 国内外结构色纺织品的研究现状 |
| 1.3.1 溅射薄膜干涉结构色的研究情况 |
| 1.3.2 光子晶体结构色的研究 |
| 1.3.3 压印光刻等微纳米结构制备结构色的研究 |
| 1.4 本章小结 |
| 1.5 课题研究内容 |
| 1.6 课题技术路线和章节结构 |
| 第二章 磁控溅射的工艺优化及设备改造 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 单因素系列实验 |
| 2.2.3 正交系列实验 |
| 2.2.4 测试与表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 溅射工艺对薄膜速率的影响 |
| 2.3.2 溅射工艺对薄膜表面形貌的影响 |
| 2.3.3 镀膜后样品的物性 |
| 2.4 设备改造 |
| 2.4.1 样品夹持器改造 |
| 2.4.2 标准光源拍照灯箱改造 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 PP无纺布基Cu/CuO薄膜的制备及特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 实验材料与薄膜制备 |
| 3.2.2 测试与表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 薄膜颜色及表面形貌 |
| 3.3.2 薄膜氧化问题 |
| 3.3.3 薄膜组分及结晶情况 |
| 3.3.4 紫外线防护性能及拒水性能 |
| 3.3.5 静电性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于TiO_2的多层结构薄膜的制备及特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 实验材料与设备 |
| 4.2.2 TiO_2与SiO_2复合的多层薄膜的制备 |
| 4.2.3 丙纶无纺布基TiO_2掺杂Nd复合薄膜的制备 |
| 4.2.4 测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 TiO_2与SiO_2复合的多层薄膜 |
| 4.3.2 丙纶无纺布基TiO_2掺杂Nd复合薄膜 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 PET机织物基Cu/CuO薄膜的制备及特性 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 实验材料与薄膜制备 |
| 5.2.2 测试与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 颜色表征及薄膜厚度对颜色的影响 |
| 5.3.2 薄膜表面结构与形貌 |
| 5.3.3 薄膜组分、晶体结构及对颜色的影响 |
| 5.3.4 光学带隙和吸收边 |
| 5.3.5 色牢度、拒水性能、紫外线防护性能和透气性 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 PET织物基CuN和TiN薄膜的制备及特性 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验 |
| 6.2.1 实验材料与薄膜制备 |
| 6.2.2 测试与表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 颜色表征、表面形貌及光学特性 |
| 6.3.2 薄膜组分、晶体结构及对颜色的影响 |
| 6.3.3 光学带隙和吸收边 |
| 6.3.4 紫外线防护性能与透气性 |
| 6.3.5 静电性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论及展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 主要创新 |
| 7.3 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间课题成果 |
| 致谢 |
（7）高硬度（AlSiTiVCrNb）N高熵合金薄膜形成机制及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高熵合金概述 |
| 1.2.1 高熵合金发展 |
| 1.2.2 高熵合金性能 |
| 1.2.3 高熵合金应用 |
| 1.3 高熵合金薄膜概述 |
| 1.3.1 高熵合金薄膜的发展 |
| 1.3.2 高熵合金氮化物薄膜的性能 |
| 1.3.3 高熵合金氮化物薄膜的应用 |
| 1.4 高熵合金薄膜的制备方法 |
| 1.4.1 薄膜的制备方法 |
| 1.4.2 磁控溅射镀膜原理 |
| 1.4.3 磁控溅射方法分类 |
| 1.5 本论文研究意义、内容及目标 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 试验内容 |
| 1.5.3 主要目标 |
| 2 试验方法与检测手段 |
| 2.1 试验流程图 |
| 2.2 高熵合金靶材 |
| 2.2.1 高熵合金靶材元素选择 |
| 2.2.2 高熵合金靶材制备 |
| 2.2.3 高熵合金靶材微观结构及性能分析 |
| 2.3 高熵合金氮化物薄膜制备 |
| 2.4 高熵合金氮化物薄膜检测方法 |
| 2.4.1 组织结构检测 |
| 2.4.2 性能测试手段 |
| 3 工艺参数对(AlSiTiVCrNb)N薄膜微观组织及性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 (AlSiTiVCrNb)N薄膜制备工艺参数 |
| 3.3 工艺参数对(AlSiTiVCrNb)N薄膜微观组织的影响 |
| 3.3.1 工艺参数对氮化物薄膜物相及成分的影响 |
| 3.3.2 工艺参数对氮化物薄膜厚度的影响 |
| 3.4 工艺参数对(AlSiTiVCrNb)N薄膜硬度及杨氏模量的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜制备工艺设计及表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜制备工艺参数 |
| 4.3 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜微观组织及结构分析 |
| 4.3.1 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜物相及成分分析 |
| 4.3.2 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜厚度变化分析 |
| 4.3.3 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜轮廓及应力分析 |
| 4.4 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜性能分析 |
| 4.4.1 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜硬度及杨氏模量分析 |
| 4.4.2 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜摩擦磨损性能分析 |
| 4.4.3 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜耐蚀性分析 |
| 4.4.4 (AlSiTiVCrNb)CN薄膜膜基结合力分析 |
| 4.5 (AlSiTiVCrNb)N、(AlSiTiVCrNb)CN薄膜微观组织与性能对比分析 |
| 4.5.1 三种薄膜微观组织及结构对比分析 |
| 4.5.2 三种薄膜力学性能对比分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 (AlSiTiVCrNb)N/(AlSiTiVCrNb)CN多层膜结构设计与表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 (AlSiTiVCrNb)N/(AlSiTiVCrNb)CN多层膜结构设计 |
| 5.3 调制周期对高熵合金多层膜形貌结构的影响 |
| 5.3.1 调制周期对多层膜形貌及厚度的影响 |
| 5.3.2 调制周期对多层膜物相及成分的影响 |
| 5.4 调制周期对高熵合金多层膜的性能的影响 |
| 5.4.1 调制周期对多层薄膜硬度及杨氏模量的影响 |
| 5.4.2 调制周期对多层膜膜摩擦磨损性能的影响 |
| 5.4.3 调制周期对多层薄膜膜基结合力的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及成果 |
| 致谢 |
（8）铜薄膜的制备及其可见红外电磁波吸收性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 光吸收材料概述 |
| 1.1.1 光吸收材料研究现状 |
| 1.1.2 光吸收的基本原理 |
| 1.1.3 光吸收材料的制备 |
| 1.2 影响材料光吸收性能的因素 |
| 1.2.1 材料的种类 |
| 1.2.2 材料表面粗糙度 |
| 1.2.3 材料的表面微结构 |
| 1.3 本论文选题背景及研究内容 |
| 2 样品的制备及分析测试方法 |
| 2.1 实验所需原料与仪器 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 金属薄膜的制备 |
| 2.2.1 磁控溅射原理及方法 |
| 2.2.2 金属薄膜表面粗糙化工艺流程 |
| 2.3 金属纳米井阵列薄膜的制备 |
| 2.4 样品的分析测试方法 |
| 2.4.1 台阶仪分析 |
| 2.4.2 X射线衍射仪分析 |
| 2.4.3 高分辨冷场发射扫描显微镜分析 |
| 2.4.4 紫外可见光分光光度计分析 |
| 3 粗糙度对银、铜、钴薄膜光学性能的影响研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 不同粗糙度的银、铜、钴薄膜的制备及其光学性能 |
| 3.2.1 不同粗糙度的银薄膜的制备及其光学性能 |
| 3.2.2 不同粗糙度的铜薄膜的制备及其光学性能 |
| 3.2.3 不同粗糙度的钴薄膜的制备及其光学性能 |
| 3.3 金属纳米井阵列膜的制备及其光吸收性能研究 |
| 3.3.1 银纳米井阵列膜的制备及其光吸收性能 |
| 3.3.2 铜纳米井阵列膜的制备及其光吸收性能 |
| 3.3.3 钴纳米井阵列膜的制备及其光吸收性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 不同孔径的铜纳米井阵列膜光吸收性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 不同孔径纳米井阵列膜的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 不同孔径的铜纳米井阵列膜的物相表征 |
| 4.3.2 不同孔径的铜纳米井阵列膜的形貌分析 |
| 4.3.3 不同孔径的铜纳米井阵列膜的光吸收性能分析 |
| 4.4 不同孔径的铜纳米井阵列膜的光热转化研究 |
| 4.4.1 所需仪器 |
| 4.4.2 光热转换的简易实验装置建立及光热转换分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
（9）熔盐线性菲涅尔式光热电站集热系统关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1.引言 |
| 1.1 课题来源 |
| 1.2 选题背景及意义 |
| 1.2.1 太阳能光热发电技术 |
| 1.2.2 国内外线性菲涅尔式光热电站发展历程 |
| 1.2.3 研究意义 |
| 1.3 线性菲涅尔式聚光集热系统若干关键技术研究现状 |
| 1.3.1 高温选择性吸收膜可控制备技术 |
| 1.3.2 线性菲涅尔式集热系统集热性能研究 |
| 1.3.3 线性菲涅尔式集热系统出口温度控制研究 |
| 1.4 研究的目标和内容 |
| 1.4.1 研究目标 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.5 论文章节安排 |
| 2.高温选择性吸收膜自掺杂工艺研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 高温选择性吸收膜及其制备工艺概述 |
| 2.2.1 高温选择性吸收膜 |
| 2.2.2 高温选择性吸收膜制备技术 |
| 2.2.3 单靶自掺杂高温选择性吸收膜 |
| 2.3 单层WO_x薄膜的光学特性 |
| 2.3.1 涂层制备方法 |
| 2.3.2 WO_x薄膜光学性能分析 |
| 2.3.3 WO_x薄膜光学常数及微观形貌 |
| 2.4 多层 WO_x基光热转换涂层 |
| 2.4.1 反应溅射WO_x复合膜系工艺参数 |
| 2.4.2 多层WO_x薄膜的光学性能 |
| 2.5 本章小结 |
| 3.反应溅射过程模糊PDF控制 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 自掺杂反应溅射工艺过程分析 |
| 3.2.1 反应溅射迟滞效应分析 |
| 3.2.2 WO_x反应溅射靶电压与反应气体流量关系 |
| 3.2.3 Berg反应溅射模型 |
| 3.3 模糊PDF算法原理 |
| 3.3.1 PDF控制算法原理 |
| 3.3.2 模糊PDF算法 |
| 3.3.3 模糊PDF算法仿真研究 |
| 3.4 验证平台—高温选择性吸收膜镀膜生产线 |
| 3.4.1 生产线装备简介 |
| 3.4.2 分布式反应溅射控制系统 |
| 3.5 反应溅射嵌入式控制器设计 |
| 3.5.1 反应溅射控制器硬件设计 |
| 3.5.2 反应溅射控制器软件设计 |
| 3.6 反应溅射控制器测试与验证应用 |
| 3.7 本章小结 |
| 4.熔盐线性菲涅尔式聚光集热系统特性测试 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 线性菲涅尔式聚光器几何光学效率 |
| 4.2.1 线性菲涅尔式聚光器工作原理及参数 |
| 4.2.2 太阳位置算法 |
| 4.2.3 线性菲涅尔式聚光器主要光学性能参数 |
| 4.2.4 法向直射效率计算 |
| 4.2.5 入射角修正系数(IAM) |
| 4.3 线性菲涅尔式集热系统热损特性研究 |
| 4.3.1 真空集热管热损模型 |
| 4.3.2 真空集热管热损测试平台 |
| 4.3.3 实验测试环境工况对集热管热损的影响 |
| 4.4 线性菲涅尔式集热系统集热性能测试 |
| 4.4.1 聚光集热系统集热性能测试方法 |
| 4.4.2 实验测试系统 |
| 4.4.3 典型工况下集热运行实验 |
| 4.4.4 模型参数辨识 |
| 4.5 本章小结 |
| 5.熔盐线性菲涅尔式集热系统出口温度控制研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 增益调度多模型预测控制 |
| 5.2.1 多模型预测控制 |
| 5.2.2 增益调度多模型预测控制算法 |
| 5.2.3 集热支路出口温度多模型集建立 |
| 5.3 集热支路出口温度控制算法仿真研究 |
| 5.3.1 出口温度串级PID控制效果 |
| 5.3.2 仿真参数的选取 |
| 5.3.3 增益调度多模型预测控制仿真与分析 |
| 5.4 线性菲涅尔式集热支路流量控制系统 |
| 5.4.1 流量控制系统结构 |
| 5.4.2 流量控制器硬件设计 |
| 5.4.3 流量控制器PLC程序 |
| 5.5 集热支路出口温度控制系统方案 |
| 5.5.1 集热场分布式控制系统网络结构 |
| 5.5.2 集热支路出口熔盐温度控制系统方案 |
| 5.6 本章小结 |
| 6.结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 主要创新 |
| 6.3 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（10）钛合金表面二硼化钛涂层制备及其摩擦学行为研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 粘着磨损和抗粘着磨损涂层 |
| 1.2.1 粘着磨损和摩擦副间的材料转移 |
| 1.2.2 固体润滑抗粘着磨损层 |
| 1.2.3 过渡族金属氮化物和硼化物抗粘着磨损涂层 |
| 1.3 二硼化钛陶瓷涂层 |
| 1.3.1 二硼化钛陶瓷的晶体结构和化学键组成 |
| 1.3.2 二硼化钛陶瓷的物理和化学性能 |
| 1.3.3 二硼化钛涂层的成分、结构与机械性能 |
| 1.3.4 二硼化钛涂层抗铝粘着磨损 |
| 1.4 二硼化钛涂层制备工艺及涂层生长机制 |
| 1.4.1 化学气相沉积 |
| 1.4.2 物理气相沉积 |
| 1.4.3 溅射沉积涂层生长模型 |
| 1.5 航空发动机中钛合金叶片与封严涂层的高速刮擦行为 |
| 1.5.1 封严涂层及其分类 |
| 1.5.2 高速刮擦条件下叶片与封严涂层间材料的转移行为 |
| 1.6 论文的研究目的与研究内容 |
| 1.6.1 研究目的 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第2章 钛合金表面二硼化钛涂层沉积装置与表征评价方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 闭合场非平衡磁控溅射沉积装置及工艺 |
| 2.3 二硼化钛涂层成分与结构表征方法 |
| 2.4 二硼化钛涂层性能表征和摩擦学行为评价方法 |
| 第3章 靶基距对二硼化钛涂层结构和性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 涂层沉积制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 涂层成分和结构 |
| 3.3.2 涂层硬度和膜基结合强度 |
| 3.3.3 基于涂层显微结构和机械性能的膜基结合强度评价因子 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 溅射功率和偏压对二硼化钛涂层结构、性能和摩擦学行为的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 涂层沉积制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 功率对涂层成分和结构的影响 |
| 4.3.2 功率对涂层性能的影响 |
| 4.3.3 功率对涂层摩擦学行为的影响 |
| 4.3.4 偏压对涂层成分和结构的影响 |
| 4.3.5 偏压对涂层性能的影响 |
| 4.3.6 偏压对涂层摩擦学行为的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 多层结构二硼化钛涂层设计及性能优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多层结构涂层有限元设计和沉积制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 多层涂层的有限元受力分析 |
| 5.3.2 多层涂层的相结构和显微结构 |
| 5.3.3 多层涂层的残余应力和硬度 |
| 5.3.4 多层涂层的膜基结合强度和韧性 |
| 5.3.5 多层涂层的摩擦学行为 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 钛合金表面二硼化钛涂层与工业纯铝的高温摩擦磨损行为 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 涂层沉积制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 温度对摩擦系数的影响 |
| 6.3.2 温度对涂层表面铝粘着程度和工业纯铝磨损量的影响 |
| 6.3.3 速度对摩擦系数的影响 |
| 6.3.4 速度对涂层表面铝粘着程度和工业纯铝磨损量的影响 |
| 6.3.5 单层涂层和多层涂层高温摩擦学行为比较 |
| 6.3.6 钛合金表面二硼化钛涂层的抗铝粘着能力系数 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 二硼化钛改性钛合金叶尖与Al-hBN封严涂层的高速磨损行为 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 涂层沉积制备 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 Al-hBN封严涂向钛合金叶尖的粘着转移行为 |
| 7.3.2 钛合金叶尖与Al-hBN封严涂层高速刮擦界面反应 |
| 7.3.3 二硼化钛改性钛合金叶尖抗Al粘着转移机制 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 结论与展望 |
| 8.1 全文结论 |
| 8.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
| 作者简介 |
四、磁控溅射工艺控制模式比较（论文参考文献）
- [1]基于磁控溅射法的二硫化钼薄膜的制备[D]. 马春阳. 云南师范大学, 2021(08)
- [2]碳化硅元件自由基等离子体加工关键工艺研究[D]. 杨梦熊. 西安工业大学, 2021(02)
- [3]磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理研究[D]. 杨文灏. 太原理工大学, 2021(01)
- [4]半金属Co2FeAl薄膜的制备及对其磁性调控的研究[D]. 张铭芳. 武汉纺织大学, 2021(08)
- [5]Cr涂层改善PET光学薄膜模具精密电铸质量的研究[D]. 李月. 集美大学, 2021(01)
- [6]磁控溅射沉积法在纺织布料上制备金属色和结构色纳米薄膜以及相关特性的研究[D]. 黄美林. 广东工业大学, 2021(08)
- [7]高硬度（AlSiTiVCrNb）N高熵合金薄膜形成机制及其性能研究[D]. 房晓彤. 西安工业大学, 2021(02)
- [8]铜薄膜的制备及其可见红外电磁波吸收性能研究[D]. 沈娟. 西南科技大学, 2021(08)
- [9]熔盐线性菲涅尔式光热电站集热系统关键技术研究[D]. 孔令刚. 兰州交通大学, 2021(01)
- [10]钛合金表面二硼化钛涂层制备及其摩擦学行为研究[D]. 吴彼. 中国科学技术大学, 2021(09)